N与A的工艺换代对比，数据说话。
从NV非常成功的G70开始说起，并以G70为标准衡量每代工艺N/A双方的差距。
G70晶体管规模3.02亿，使用110nm工艺，核心面积320平方毫米，晶体管密度950K/每平方毫米。
因为双方设计的是同一类型的IC，所以晶体管密度可以作为衡量双方工艺设计差距的重要指标，该指标对成本和功耗考量有重要参考价值。
下面设定G70的晶体管密度指数为1，然后加入制程换算，90nm就是1450K/每平方毫米指数为1，80nm是1800K/每平方毫米，65nm是2800K/每平方毫米，55nm是3900K/每平方毫米。数字不是绝对精确，不过误差不超过2.5%。
先看G71，2.8亿晶体管，90nm工艺，核心190平方毫米，晶体管密度1480K/每平方毫米，考虑到误差，指数为1。
G80，6.8亿晶体管，90nm工艺，核心480平方毫米，晶体管密度1420K/每平方毫米，指数为1。
G92，7.5亿晶体管，65nm工艺，核心335平方毫米，晶体管密度2350K/每平方毫米，指数为0.8。可以看出，G92在65nm工艺的芯片面积控制上不是很理想！
G92B，换用55nm工艺，核心275平方毫米，晶体管密度2750K/每平方毫米，指数为0.7。NV的55nm工艺在比对手晚半年的情况下仍然如此差劲，看来NV确实遇到了工艺问题！
GT200，14亿晶体管，核心面积580平方毫米，仍然是65nm工艺，晶体管密度2400K/每平方毫米，指数为0.8。
下面是ATi/AMD的。
R580，3.8亿晶体管，90nm工艺，核心360平方毫米，晶体管密度1055K/每平方毫米，指数为0.7。ATi的90nm工艺比NV差远了，基本上和NV110nm工艺处于同一档次。
RV570，3.2亿晶体管，80nm工艺，核心240平方毫米，密度1500K/每平方毫米，指数为0.85，和NV的90nm工艺一个档次。
R600，7.2亿晶体管，80nm工艺，核心410平方毫米，密度1760K/每平方毫米，指数为1。很惊讶吧？R600的工艺设计比RV570强很多，当然这和推出的时间也有关系。
RV670，6.5亿晶体管，55nm工艺，核心190平方毫米，密度3400K/每平方毫米，指数为0.87。
RV770，9.6亿晶体管，55nm工艺，核心260平方毫米，密度3700K/每平方毫米，指数为0.95。
G80和GT200应该有更大的偏差，这两款都有独立的NVIO芯片，因而密度会低一些。65nm和55nm的标准指数是理论值，实际工艺中运算单元部分在工艺换代中很难按照标准比例缩减面积，所以指数都小于1。那么谁能做到接近理论值的指数很大程度上就说明谁的工艺设计水平更出色。当然实际上还要考虑到能够实现的有效频率，功率密度等等。可以看到RV770的设计无疑非常优秀，能够取得成功绝不仅仅是钻了NV的空子。
相信40nm会竞争的很厉害，谁能在工艺上更加靠近指数1呢？这个目标是7200K/每平方毫米。
